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外媒曝TSMC 3nm工艺良率低,台积电多次修改蓝图方案!

据外媒报导,台积电总裁魏哲家在法说会上透露,目前台积电研发3nm工艺制程的进度符合预期,并预计将可以在2022年下半年就开始量产了!不过虽然官方说法是这样,外媒受到风表示还有另一种说法!

根据Digitimes的消息指出,台积电旗下的半导体设备厂商就透露,台积电3nm芯片在良率方面非常低,同时要拉高良率的难度也非常高,台积电甚至因此多次修改了3nm工艺半导体的蓝图。

半导体设备厂商指出,目前台积电把3nm工艺制程所铸造的芯片分成了几个不同的等级,分别是 N3、N3E 以及 N3B 等等,以符合各种不同客户的要求生产各种不同等级的芯片。

据了解,与5nm工艺相比,3nm工艺制程打造的芯片将可以提高70%晶体管密度、提高15%性能以及降低30%的功耗!台积电表示,首批3nm工艺制成所铸造的芯片将可以在2023年亮相,不过由于良率极低,可能3nm工艺芯片的价格会不菲!


资料来源:IT之家
TTN Writer

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