外媒曝TSMC 3nm工艺良率低，台积电多次修改蓝图方案！
据外媒报导，台积电总裁魏哲家在法说会上透露，目前台积电研发3nm工艺制程的进度符合预期，并预计将可以在2022年下半年就开始量产了！不过虽然官方说法是这样，外媒受到风表示还有另一种说法！
根据Digitimes的消息指出，台积电旗下的半导体设备厂商就透露，台积电3nm芯片在良率方面非常低，同时要拉高良率的难度也非常高，台积电甚至因此多次修改了3nm工艺半导体的蓝图。
半导体设备厂商指出，目前台积电把3nm工艺制程所铸造的芯片分成了几个不同的等级，分别是 N3、N3E 以及 N3B 等等，以符合各种不同客户的要求生产各种不同等级的芯片。
据了解，与5nm工艺相比，3nm工艺制程打造的芯片将可以提高70%晶体管密度、提高15%性能以及降低30%的功耗！台积电表示，首批3nm工艺制成所铸造的芯片将可以在2023年亮相，不过由于良率极低，可能3nm工艺芯片的价格会不菲！
资料来源：IT之家
