根据外媒报导，Samsung 在新一代的芯片发展可谓是雪上加霜！早前在4nm工艺制成里面，由于良率太低加上芯片发热量很大的关系，让原本交由 Samsung 铸造的高通骁龙8 Gen 1芯片也将会在下半年转由台积电生产了！而预计将会在今年发布的 3nm 工艺制程也不会有所好转！
悉知， Samsung 3nm 工艺制程由于良率方面比 4nm 来得更低的关系，Samsung 将不会通过这个 3nm 工艺接单，而是用于自家的芯片而已。Samsung 表示，3nm工艺制程将会相比起 4nm工艺制程性能提升高达35%，功耗降低高达50%！不过由于良率的问题，Samsung将会最快在2023年才会正式的接单为第三方生产这个芯片。
其实除了Samsung之外，台积电也在FinFET技术方面遇见瓶颈，并出现良率过低的问题。但根据全球三大芯片铸造厂的时间线，Samsung以及台积电将会在2025年启动2nm工艺制程生产线，而Intel也预计会在2024年生产 2nm 工艺的芯片以及 1.8nm 工艺的芯片。
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