3nm工艺芯片良率问题或影响芯片的产量!Samsung 将不接单,专注自给自足!
根据外媒报导,Samsung 在新一代的芯片发展可谓是雪上加霜!早前在4nm工艺制成里面,由于良率太低加上芯片发热量很大的关系,让原本交由 Samsung 铸造的高通骁龙8 Gen 1芯片也将会在下半年转由台积电生产了!而预计将会在今年发布的 3nm 工艺制程也不会有所好转!
悉知, Samsung 3nm 工艺制程由于良率方面比 4nm 来得更低的关系,Samsung 将不会通过这个 3nm 工艺接单,而是用于自家的芯片而已。Samsung 表示,3nm工艺制程将会相比起 4nm工艺制程性能提升高达35%,功耗降低高达50%!不过由于良率的问题,Samsung将会最快在2023年才会正式的接单为第三方生产这个芯片。
其实除了Samsung之外,台积电也在FinFET技术方面遇见瓶颈,并出现良率过低的问题。但根据全球三大芯片铸造厂的时间线,Samsung以及台积电将会在2025年启动2nm工艺制程生产线,而Intel也预计会在2024年生产 2nm 工艺的芯片以及 1.8nm 工艺的芯片。
资料来源:XDA-Developers