紧随着早前2nm工艺制程已经取得了突破性的技术之后，台湾媒体《经济日报》有报导表示，晶圆代工厂台积电预计将会在2025年率先量产2nm工艺制程所铸造的芯片，并领先其它竞争对手如Samsung以及Intel！
据了解，台积电在发展全新的工艺制程方面非常的顺利，并预计可以在今年的下旬正式推动3nm工艺芯片量产工作；同时，升级版的3nm工艺制程（N3E）也预计会在2023年开始量产，而2nm工艺制成芯片则预计可以在2025年正式量产。
悉知，台积电目前已经启动了竹科宝山第二期扩建计划，并预计会将2nm铸造厂设置在该处。台积电表示，2nm工艺所铸造的芯片将可以较N3E制程的工艺提升10%至15%的同功耗频率，同时相同频率的功耗也可以下降25%至30%，可谓是一个巨大的提升！
台积电强调，2nm工艺的密度很高，是一个可以带来最好效能的技术，如果研发顺利且成功的话，那么台积电将可以领先竞争对手非常的多！不过由于3nm工艺已经接近了鳍片的物理极限，因此再往下就会遇到瓶颈。所以与其采用FinFET技术，2nm工艺将会通过全新的GAAFET架构来生产！
资料来源：IT之家
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